![洛阳市鼎晶电子材料有限公司](http://img.czvv.com/logo/4e9308be6e4690198e7da47a/4e9308be6e4690198e7da47a.png)
洛阳市鼎晶电子材料有限公司 main business:生产硅半导体材料,硅抛光片 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 91410329733881503T
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- 存续
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2001年12月13日
- 徐信富
- 2,500万元
- 2001年12月13日 至 2022年12月12日
- 伊川县工商行政管理局
- 2015年12月11日
- 洛阳市伊川县滨河大道与高新六路交汇处
- 半导体材料、电子元器件、电子产品的生产、销售及技术、货物的进出口业务。
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 5387371 | ![]() |
鼎晶电子 | 2006-05-31 | 单晶硅;多晶硅;硅外延片;半导体器件;太阳能电池 | 查看详情 |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103846813B | 硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置 | 2016.03.23 | 本发明是有关于一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置,其包括:金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置 |
2 | CN203738610U | 一种移动式喷嘴 | 2014.07.30 | 本实用新型是有关于一种移动式喷嘴,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括:管状 |
3 | CN103846805A | 一种传送带 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种传送带,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其中在所述传送带的承 |
4 | CN103847036A | 一种除尘系统 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种除尘系统,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括:排风除尘装 |
5 | CN103846814A | 一种移动式喷嘴 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种移动式喷嘴,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括:管状喷嘴 |
6 | CN103846813A | 硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置,其包括:金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置 |
7 | CN103846816A | 一种料罐 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种料罐,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括:储物罐及震动器 |
8 | CN103846815A | 一种除尘风橱 | 2014.06.11 | 本发明是有关于一种除尘风橱,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其中所述除尘风橱为 |
9 | CN203592407U | 硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置 | 2014.05.14 | 本实用新型是有关于一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置,其包括:金刚砂喷嘴、喷嘴移动 |
10 | CN203592408U | 一种除尘风橱 | 2014.05.14 | 本实用新型是有关于一种除尘风橱,用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其中所述除尘风 |
11 | CN101347926B | 硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法 | 2011.10.05 | 本发明提出的硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法是根据背损吸杂原理,在硅片背面 |
12 | CN101347926A | 硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法 | 2009.01.21 | 本发明提出的硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法是根据背损吸杂原理,在硅片背面 |
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